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供應 電子CMP研磨拋光液硅溶膠水溶液 /112926-00-8 ![](/images/ask_ico.gif) |
規(guī) 格: |
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價 格: |
9.5/元/公斤 |
數(shù) 量: |
1000 噸 |
交貨地: |
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發(fā)布時間: |
2024-09-10 |
有效期: |
255天 |
備 注: |
研磨拋光:
單質(zhì)硅硅溶膠以其良好的球性結(jié)構(gòu)、較為堅硬的質(zhì)地以及純凈的品質(zhì),可以被很好地用作電子產(chǎn)品、金屬、玻璃、鏡面陶瓷、硅片、半導體材料等的研磨拋光材料。
硅溶膠可用于3C產(chǎn)品外觀件拋光、微電子、光電子、光學、金屬以及藍寶石拋光。
藍寶石晶體(α-A12O3)是一種耐高溫、耐磨損、抗腐蝕和透光波段寬的 光功能材料,它具有與Ⅲ族氮化物相同的六方密堆積型,是由物理、機械和化學特性三者獨特組合的優(yōu)良材料。
在光通信領域,藍寶石晶體不僅用作短波長有源器件,還用作偏振光的無源器件在微電子領域,藍寶石可以作為新一代半導體襯底SOI(絕緣層上)的襯底,由于藍寶石優(yōu)良的阻擋作用,能夠減小晶體管的電容效應,其運算速度可變得更快,功耗變得更低。在光電子領域,藍寶石晶體是制造GaN發(fā)光二極管(LED)的 襯底材料。在藍寶石襯底上生長薄膜之前,首先要去除切片時產(chǎn)生的劃傷、凹坑、應力區(qū)等,然后要降低表面粗糙度。表面的粗糙度越大,表面的懸掛鍵越多,越容易吸附其他雜質(zhì),并且與上面的薄膜有較差的晶格匹配。
傳統(tǒng)的純機械拋光是用拋光粉不斷地研磨被拋光材料的表面,容易產(chǎn)生較深的劃傷。而CMP(化學機械拋光)是在化學作用的環(huán)境下,通過機械作用將化學反應物去除掉,提高了材料的去除速率,同時也得到良好的表面形態(tài)。
目前常用的CMP為氧化硅硅溶膠,它是一種硬而脆的陶瓷材料,其表面化學活性很低。SiO2水溶膠是雙電子層結(jié)構(gòu),外層電子顯負電荷,由凝聚法制備的膠體SiO2粒子表面富含硅羥基,研究還發(fā)現(xiàn)采用凝聚法制備的硅溶膠內(nèi)部也富含有硅羥基,正是這個特點,使得凝聚法制備的SiO2膠體黏度小,硬度適中,無棱角,在CMP時不會產(chǎn)生劃傷 |
結(jié)構(gòu)式: |
![](jpg/112926-00-8.jpg) |
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